TK20J60W,S1VQ(O , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=600 V, 3针 TO-3PN封装
- RS 库存编号:
- 827-6163
- 制造商零件编号:
- TK20J60W,S1VQ(O
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB23.67 | RMB47.34 |
| 20 - 38 | RMB18.955 | RMB37.91 |
| 40 - 72 | RMB17.20 | RMB34.40 |
| 74 - 148 | RMB15.795 | RMB31.59 |
| 150 + | RMB13.655 | RMB27.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6163
- 制造商零件编号:
- TK20J60W,S1VQ(O
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20 | |
| 最大漏源电压 Vd | 600 | |
| 系列 | TK | |
| 包装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最大功耗 Pd | 165 | |
| 正向电压 Vf | -1.7 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.5 | |
| 高度 | 20 | |
| 宽度 | 4.5 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 20 | ||
最大漏源电压 Vd 600 | ||
系列 TK | ||
包装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最大功耗 Pd 165 | ||
正向电压 Vf -1.7 | ||
最高工作温度 150 | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.5 | ||
高度 20 | ||
宽度 4.5 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP