Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 60 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, TK32E12N1,S1X(S, TK系列
- RS 库存编号:
- 827-6191P
- 制造商零件编号:
- TK32E12N1,S1X(S
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计 50 件 (以袋装提供)*
RMB340.00
(不含税)
RMB384.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB6.80 |
| 100 - 195 | RMB6.178 |
| 200 - 395 | RMB5.656 |
| 400 + | RMB4.904 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6191P
- 制造商零件编号:
- TK32E12N1,S1X(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | TK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 98W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 TK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 98W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.16mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN