TK31N60W,S1VF(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 30.8 A, Vds=600 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 827-6198
- 制造商零件编号:
- TK31N60W,S1VF(S
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB63.69
(不含税)
RMB71.97
(含税)
有库存
- 另外 14 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 12 | RMB31.845 | RMB63.69 |
| 14 - 28 | RMB25.475 | RMB50.95 |
| 30 - 58 | RMB23.17 | RMB46.34 |
| 60 - 118 | RMB21.215 | RMB42.43 |
| 120 + | RMB18.365 | RMB36.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6198
- 制造商零件编号:
- TK31N60W,S1VF(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 88 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 230 W | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 3000 pF @ 300 V | |
| 典型关断延迟时间 | 165 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.02mm | |
| 典型接通延迟时间 | 70 ns | |
| 系列 | TK | |
| 高度 | 20.95mm | |
| 长度 | 15.94mm | |
| 尺寸 | 15.94 x 5.02 x 20.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 31 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 88 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.7V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 230 W | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 300 V | ||
典型关断延迟时间 165 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.02mm | ||
典型接通延迟时间 70 ns | ||
系列 TK | ||
高度 20.95mm | ||
长度 15.94mm | ||
尺寸 15.94 x 5.02 x 20.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN