TK35A08N1,S4X(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 35 A, Vds=80 V, 3针 TO-220SIS封装
- RS 库存编号:
- 827-6205P
- 制造商零件编号:
- TK35A08N1,S4X(S
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计 50 件 (以袋装提供)*
RMB222.65
(不含税)
RMB251.60
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB4.453 |
| 100 - 240 | RMB4.052 |
| 250 - 490 | RMB3.711 |
| 500 + | RMB3.219 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6205P
- 制造商零件编号:
- TK35A08N1,S4X(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12.2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220SIS | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 28 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1700 pF @ 40 V | |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 高度 | 15mm | |
| 系列 | TK | |
| 长度 | 10mm | |
| 尺寸 | 10 x 4.5 x 15mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 12.2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220SIS | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 30 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
宽度 4.5mm | ||
典型接通延迟时间 28 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1700 pF @ 40 V | ||
典型关断延迟时间 35 ns | ||
高度 15mm | ||
系列 TK | ||
长度 10mm | ||
尺寸 10 x 4.5 x 15mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- CN