TK65E10N1,S1X(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 65 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 827-6252
- 制造商零件编号:
- TK65E10N1,S1X(S
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | RMB14.695 | RMB58.78 |
| 20 - 36 | RMB11.76 | RMB47.04 |
| 40 - 96 | RMB10.683 | RMB42.73 |
| 100 - 196 | RMB9.805 | RMB39.22 |
| 200 + | RMB8.40 | RMB33.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6252
- 制造商零件编号:
- TK65E10N1,S1X(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 65 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.8 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 192 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 85 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | TK | |
| 高度 | 15.1mm | |
| 宽度 | 4.45mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 5400 pF @ 50 V | |
| 尺寸 | 10.16 x 4.45 x 15.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 44 ns | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 65 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 4.8 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 192 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 85 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 TK | ||
高度 15.1mm | ||
宽度 4.45mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 5400 pF @ 50 V | ||
尺寸 10.16 x 4.45 x 15.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 44 ns | ||
长度 10.16mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN