TK62N60W,S1VF(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 61.8 A, Vds=600 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 827-6255
- 制造商零件编号:
- TK62N60W,S1VF(S
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB58.17
(不含税)
RMB65.73
(含税)
有库存
- 另外 40 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB58.17 |
| 10 - 19 | RMB46.54 |
| 20 - 29 | RMB42.33 |
| 30 - 59 | RMB38.82 |
| 60 + | RMB33.53 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6255
- 制造商零件编号:
- TK62N60W,S1VF(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 62 | |
| 最大漏源电压 Vd | 600 | |
| 系列 | TK | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.7 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 | |
| 最大功耗 Pd | 400 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 180 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 20.95 | |
| 长度 | 15.94 | |
| 宽度 | 5.02 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 62 | ||
最大漏源电压 Vd 600 | ||
系列 TK | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.7 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 | ||
最大功耗 Pd 400 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 20.95 | ||
长度 15.94 | ||
宽度 5.02 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN