TK7P60W,RVQ(S , N沟道 MOSFET 晶体管, 7 A, Vds=600 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 827-6274
- 制造商零件编号:
- TK7P60W,RVQ(S
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 8 - 112 | RMB7.246 | RMB57.97 |
| 120 - 232 | RMB5.793 | RMB46.34 |
| 240 - 488 | RMB5.266 | RMB42.13 |
| 496 - 992 | RMB4.828 | RMB38.62 |
| 1000 + | RMB4.138 | RMB33.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6274
- 制造商零件编号:
- TK7P60W,RVQ(S
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 典型接通延迟时间 | 40 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 490 pF @ 300 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.1 x 2.3mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 55 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | TK | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 600 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.7V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 60 W | ||
典型接通延迟时间 40 ns | ||
典型输入电容值@Vds 490 pF @ 300 V | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.6 x 6.1 x 2.3mm | ||
长度 6.6mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 55 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 TK | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN