DMN62D0LFD-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.31 A, Vds=60 V, 3针 X1-DFN1212-3封装
- RS 库存编号:
- 828-3200P
- 制造商零件编号:
- DMN62D0LFD-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 500 - 900 | RMB0.69 |
| 1000 - 2400 | RMB0.472 |
| 2500 - 4900 | RMB0.471 |
| 5000 + | RMB0.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 828-3200P
- 制造商零件编号:
- DMN62D0LFD-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 310 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | X1-DFN1212 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 480 mW | |
| 长度 | 1.25mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 2.6 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.5 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 1.25 x 1.25 x 0.48mm | |
| 高度 | 0.48mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 31 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 310 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 X1-DFN1212 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 480 mW | ||
长度 1.25mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 2.6 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 1.25 x 1.25 x 0.48mm | ||
高度 0.48mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.25mm | ||
典型输入电容值@Vds 31 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||