DMN4020LFDE-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 9.5 A, Vds=40 V, 6针 U-DFN2020-6封装
- RS 库存编号:
- 828-3203
- 制造商零件编号:
- DMN4020LFDE-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB40.32
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RMB45.56
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.016 | RMB40.32 |
| 100 - 180 | RMB1.766 | RMB35.32 |
| 200 - 480 | RMB1.57 | RMB31.40 |
| 500 - 980 | RMB1.284 | RMB25.68 |
| 1000 + | RMB1.089 | RMB21.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 828-3203
- 制造商零件编号:
- DMN4020LFDE-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9.5 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 28 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | U-DFN2020 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 660 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.05mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19.1 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1060 pF @ 20 V | |
| 典型关断延迟时间 | 15.1 ns | |
| 高度 | 0.58mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 尺寸 | 2.05 x 2.05 x 0.58mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5.3 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9.5 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 28 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 U-DFN2020 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 660 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.05mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 19.1 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1060 pF @ 20 V | ||
典型关断延迟时间 15.1 ns | ||
高度 0.58mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.05mm | ||
尺寸 2.05 x 2.05 x 0.58mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5.3 ns | ||