DMP3017SFG-7 , P沟道 MOSFET 晶体管, 15.2 A, Vds=-30 V, 8针 POWERDI3333-8封装
- RS 库存编号:
- 828-3216
- 制造商零件编号:
- DMP3017SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB105.30
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RMB119.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB2.106 | RMB105.30 |
| 250 - 450 | RMB1.406 | RMB70.30 |
| 500 - 1200 | RMB1.404 | RMB70.20 |
| 1250 - 2450 | RMB1.003 | RMB50.15 |
| 2500 + | RMB0.903 | RMB45.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 828-3216
- 制造商零件编号:
- DMP3017SFG-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 15.2 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 18 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | POWERDI3333 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 940 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.35mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.35 x 3.35 x 0.85mm | |
| 典型关断延迟时间 | 45.6 ns | |
| 长度 | 3.35mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 2246 pF @ -15 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 15.2 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 18 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 POWERDI3333 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 940 mW | ||
典型接通延迟时间 7.5 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 41 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.85mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.35mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.35 x 3.35 x 0.85mm | ||
典型关断延迟时间 45.6 ns | ||
长度 3.35mm | ||
典型输入电容值@Vds 2246 pF @ -15 V | ||