DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2047UCB4-7, 4.1 A, Vds=20 V, 4针 U-WLB1010封装
- RS 库存编号:
- 828-3219P
- 制造商零件编号:
- DMP2047UCB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 180 | RMB2.663 |
| 200 - 480 | RMB2.367 |
| 500 - 980 | RMB1.936 |
| 1000 + | RMB1.635 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 828-3219P
- 制造商零件编号:
- DMP2047UCB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.1 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 60 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -6 V | |
| 封装类型 | U-WLB1010 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.38mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.05mm | |
| 典型关断延迟时间 | 48 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 218 pF @ -10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.3 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 7.9 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 1.05 x 1.05 x 0.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4.1 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 60 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -6 V | ||
封装类型 U-WLB1010 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 1 W | ||
长度 1.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.38mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.05mm | ||
典型关断延迟时间 48 ns | ||
典型输入电容值@Vds 218 pF @ -10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.3 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 7.9 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 1.05 x 1.05 x 0.38mm | ||