DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP56D0UFB-7, 200 mA, Vds=50 V, 3针 X1-DFN1006封装
- RS 库存编号:
- 828-3222
- 制造商零件编号:
- DMP56D0UFB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 50 件）*
RMB113.55
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RMB128.30
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB2.271 | RMB113.55 |
| 250 - 450 | RMB1.324 | RMB66.20 |
| 500 - 1200 | RMB1.075 | RMB53.75 |
| 1250 - 2450 | RMB0.828 | RMB41.40 |
| 2500 + | RMB0.826 | RMB41.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 828-3222
- 制造商零件编号:
- DMP56D0UFB-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 50 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | X1-DFN1006 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 425 mW | |
| 宽度 | 0.675mm | |
| 典型关断延迟时间 | 21.9 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 50.54 pF@ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.58 nC @ 4 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 1.08mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.46 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 1.075 x 0.675 x 0.48mm | |
| 高度 | 0.48mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 50 V | ||
最大漏源电阻值 8 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 X1-DFN1006 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 425 mW | ||
宽度 0.675mm | ||
典型关断延迟时间 21.9 ns | ||
典型输入电容值@Vds 50.54 pF@ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.58 nC @ 4 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 1.08mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.46 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm | ||
高度 0.48mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||