STU4N80K5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 3 A, Vds=800 V, 3针 IPAK封装
- RS 库存编号:
- 829-1484
- 制造商零件编号:
- STU4N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB41.04
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RMB46.375
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB8.208 | RMB41.04 |
| 25 - 95 | RMB6.84 | RMB34.20 |
| 100 - 245 | RMB6.312 | RMB31.56 |
| 250 - 495 | RMB5.856 | RMB29.28 |
| 500 + | RMB5.472 | RMB27.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-1484
- 制造商零件编号:
- STU4N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 16.5 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.5 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 175 pF @ 100 V | |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.2mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 6.2mm | |
| 系列 | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
最大漏源电阻值 2.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 60 W | ||
宽度 2.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 16.5 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 10.5 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 175 pF @ 100 V | ||
典型关断延迟时间 36 ns | ||
长度 6.6mm | ||
尺寸 6.6 x 2.4 x 6.2mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 6.2mm | ||
系列 MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||