DN2535N3-G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.12 A, Vds=350 V, 3针 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 829-3332
- 制造商零件编号:
- DN2535N3-G
- 制造商:
- Microchip
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB44.76
(不含税)
RMB50.58
(含税)
有库存
- 另外 10 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | RMB4.476 | RMB44.76 |
| 30 - 40 | RMB3.828 | RMB38.28 |
| 50 - 90 | RMB3.752 | RMB37.52 |
| 100 + | RMB3.423 | RMB34.23 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-3332
- 制造商零件编号:
- DN2535N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 mA | |
| 最大漏源电压 | 350 V | |
| 最大漏源电阻值 | 25 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.19mm | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 200 pF @ 25 V | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 尺寸 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 mA | ||
最大漏源电压 350 V | ||
最大漏源电阻值 25 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 消耗 | ||
最大功率耗散 1 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.19mm | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
高度 5.33mm | ||
典型输入电容值@Vds 200 pF @ 25 V | ||
长度 5.2mm | ||
尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||