DN3135K1-G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.72 A, Vds=350 V, 3针 TO-236AB封装
- RS 库存编号:
- 829-3345P
- 制造商零件编号:
- DN3135K1-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 40 - 80 | RMB2.618 |
| 100 + | RMB2.543 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-3345P
- 制造商零件编号:
- DN3135K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 720 mA | |
| 最大漏源电压 | 350 V | |
| 最大漏源电阻值 | 35 Ω | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-236AB | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 类别 | 快速切换 | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 典型接通延迟时间 | 最大为 10 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 60 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 最大为 15 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 720 mA | ||
最大漏源电压 350 V | ||
最大漏源电阻值 35 Ω | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-236AB | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 消耗 | ||
类别 快速切换 | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
高度 1.02mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.04mm | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm | ||
典型接通延迟时间 最大为 10 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 60 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 最大为 15 ns | ||