DN3135N8-G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.135 A, Vds=350 V, 4针 TO-243AA封装

品牌

Microchip

通道类型

N

最大连续漏极电流

130 mA

最大漏源电压

350 V

最大漏源电阻值

35 Ω

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TO-243AA

安装类型

表面贴装

引脚数目

4

通道模式

消耗

类别

快速切换

最大功率耗散

1.3 W

每片芯片元件数目

1

宽度

2.6mm

典型关断延迟时间

最大为 15 ns

典型输入电容值@Vds

60 pF @ 25 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

最大为 10 ns

高度

1.6mm

最高工作温度

+150 °C

尺寸

4.6 x 2.6 x 1.6mm

长度

4.6mm