LET9180 , N沟道 MOSFET 晶体管, 24 A, Vds=80 V, 5针 M246封装
- RS 库存编号:
- 829-6956P
- 制造商零件编号:
- LET9180
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB27,706.00
(不含税)
RMB31,307.75
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB1,108.24 |
| 100 - 249 | RMB1,043.99 |
| 250 - 499 | RMB1,027.93 |
| 500 + | RMB1,003.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-6956P
- 制造商零件编号:
- LET9180
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+15 V | |
| 封装类型 | M246 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 318 W | |
| 尺寸 | 29.08 x 5.97 x 5.08mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.97mm | |
| 长度 | 29.08mm | |
| 高度 | 5.08mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -10 V、+15 V | ||
封装类型 M246 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 318 W | ||
尺寸 29.08 x 5.97 x 5.08mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.97mm | ||
长度 29.08mm | ||
高度 5.08mm | ||