PD85050S , N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=28 V, 10针 Power SO封装
- RS 库存编号:
- 829-7013
- 制造商零件编号:
- PD85050S
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 件）*
RMB291.37
(不含税)
RMB329.25
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB291.37 |
| 25 - 99 | RMB243.63 |
| 100 - 249 | RMB218.55 |
| 250 - 499 | RMB206.02 |
| 500 + | RMB195.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-7013
- 制造商零件编号:
- PD85050S
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 28 V | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | PowerSO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 105 W | |
| 宽度 | 9.6mm | |
| 尺寸 | 15.65 x 9.6 x 3.6mm | |
| 长度 | 15.65mm | |
| 高度 | 3.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型功率增益 | 12 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 110 pF@ 12 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 28 V | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 PowerSO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 10 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 射频 MOSFET | ||
最大功率耗散 105 W | ||
宽度 9.6mm | ||
尺寸 15.65 x 9.6 x 3.6mm | ||
长度 15.65mm | ||
高度 3.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型功率增益 12 dB | ||
典型输入电容值@Vds 110 pF@ 12 V | ||
晶体管材料 Si | ||