IRLML6302GTRPBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.78 A, Vds=-20 V, 3针 Micro6封装
- RS 库存编号:
- 830-3310
- 制造商零件编号:
- IRLML6302GTRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB57.50
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RMB65.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB1.15 | RMB57.50 |
| 100 - 950 | RMB0.84 | RMB42.00 |
| 1000 - 2950 | RMB0.79 | RMB39.50 |
| 3000 - 5950 | RMB0.697 | RMB34.85 |
| 6000 + | RMB0.669 | RMB33.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 830-3310
- 制造商零件编号:
- IRLML6302GTRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 780 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | Micro6 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 540 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 97 pF @ -15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 780 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 Micro6 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 540 mW | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 97 pF @ -15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.4 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 1.4mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 22 ns | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm | ||
系列 HEXFET | ||
高度 1.02mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.04mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN