IRLL3303TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 6.5 A, Vds=30 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 830-3313
- 制造商零件编号:
- IRLL3303TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB72.38
(不含税)
RMB81.78
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.619 | RMB72.38 |
| 100 - 480 | RMB3.02 | RMB60.40 |
| 500 - 980 | RMB2.794 | RMB55.88 |
| 1000 - 2480 | RMB2.596 | RMB51.92 |
| 2500 + | RMB2.42 | RMB48.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 830-3313
- 制造商零件编号:
- IRLL3303TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 45 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 840 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 33 ns | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 7.2 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.739mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.739mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 45 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.1 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 840 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 33 ns | ||
宽度 3.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 7.2 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.739mm | ||
长度 6.7mm | ||
高度 1.739mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 HEXFET | ||
- COO (Country of Origin):
- CN