IRLMS6702TRPBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.4 A, Vds=-20 V, 6针 Micro6封装
- RS 库存编号:
- 830-3338
- 制造商零件编号:
- IRLMS6702TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB82.50
(不含税)
RMB93.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.65 | RMB82.50 |
| 250 - 700 | RMB1.285 | RMB64.25 |
| 750 - 1450 | RMB1.26 | RMB63.00 |
| 1500 - 2950 | RMB1.197 | RMB59.85 |
| 3000 + | RMB1.07 | RMB53.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 830-3338
- 制造商零件编号:
- IRLMS6702TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 375 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | Micro6 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.7 W | |
| 宽度 | 1.75mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 210 pF @ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.8 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.75 x 1.3mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 375 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.7V | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 Micro6 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.7 W | ||
宽度 1.75mm | ||
典型输入电容值@Vds 210 pF @ -15 V | ||
典型关断延迟时间 21 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.8 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
高度 1.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm | ||
系列 HEXFET | ||
- COO (Country of Origin):
- TH