IRLR2908TRLPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 39 A, Vds=80 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 830-3350
- 制造商零件编号:
- IRLR2908TRLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB60.94
(不含税)
RMB68.86
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.094 | RMB60.94 |
| 100 - 490 | RMB5.082 | RMB50.82 |
| 500 - 990 | RMB4.697 | RMB46.97 |
| 1000 - 2990 | RMB4.356 | RMB43.56 |
| 3000 + | RMB4.07 | RMB40.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 830-3350
- 制造商零件编号:
- IRLR2908TRLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 39 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 120 W | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1890 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 36 ns | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 39 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
最大漏源电阻值 30 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 120 W | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1890 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 36 ns | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 2.39mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
晶体管材料 Si | ||
- COO (Country of Origin):
- CN