IRLTS6342TRPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 8.3 A, Vds=30 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 830-3405
- 制造商零件编号:
- IRLTS6342TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 30 件）*
RMB51.90
(不含税)
RMB58.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | RMB1.73 | RMB51.90 |
| 300 - 720 | RMB1.346 | RMB40.38 |
| 750 - 1470 | RMB1.32 | RMB39.60 |
| 1500 - 2970 | RMB1.25 | RMB37.50 |
| 3000 + | RMB1.12 | RMB33.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 830-3405
- 制造商零件编号:
- IRLTS6342TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.3 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 22 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 15 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 5.4 ns | |
| 尺寸 | 3 x 1.75 x 1.3mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1010 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns | |
| 宽度 | 1.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.3 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 22 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最小栅阈值电压 0.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.3mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 15 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 5.4 ns | ||
尺寸 3 x 1.75 x 1.3mm | ||
典型输入电容值@Vds 1010 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 32 ns | ||
宽度 1.75mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||