IRF5806TRPBF , P沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=-20 V, 6针 TSOP封装
- RS 库存编号:
- 830-3509
- 制造商零件编号:
- IRF5806TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB44.65
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RMB50.45
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | RMB1.786 | RMB44.65 |
| 250 - 725 | RMB1.377 | RMB34.43 |
| 750 - 1475 | RMB1.35 | RMB33.75 |
| 1500 - 2975 | RMB1.25 | RMB31.25 |
| 3000 + | RMB1.01 | RMB25.25 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 830-3509
- 制造商零件编号:
- IRF5806TRPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 147 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.3 nC @ 4.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 94 ns | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 594 pF @ -15 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 典型接通延迟时间 | 6.2 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 147 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.45V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TSOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.3 nC @ 4.5 V | ||
典型关断延迟时间 94 ns | ||
宽度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 594 pF @ -15 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
长度 3.1mm | ||
高度 1mm | ||
系列 HEXFET | ||
典型接通延迟时间 6.2 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- MY