SIZ340DT-T1-GE3, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 30 A,40 A, Vds=30 V, 8针 PowerPAIR封装
- RS 库存编号:
- 830-6249
- 制造商零件编号:
- SIZ340DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB92.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB4.61 | RMB92.20 |
| 100 - 1480 | RMB3.545 | RMB70.90 |
| 1500 - 2980 | RMB2.47 | RMB49.40 |
| 3000 - 5980 | RMB2.31 | RMB46.20 |
| 6000 + | RMB2.185 | RMB43.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 830-6249
- 制造商零件编号:
- SIZ340DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 30 A，40 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7 mΩ，13.7 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V，+20 V | |
| 封装类型 | PowerPAIR | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 16.7 W，31 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.3 nC @ 10 V，22.6 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 3.1 x 3.1 x 0.75mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 典型关断延迟时间 | 16 ns，20 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | PowerPAIR | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1552 pF@ 15 V，760 pF@ 15 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns，22 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 30 A，40 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 7 mΩ，13.7 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V，+20 V | ||
封装类型 PowerPAIR | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 串行 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 16.7 W，31 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 12.3 nC @ 10 V，22.6 nC @ 10 V | ||
尺寸 3.1 x 3.1 x 0.75mm | ||
长度 3.1mm | ||
宽度 3.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.75mm | ||
典型关断延迟时间 16 ns，20 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 PowerPAIR | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型输入电容值@Vds 1552 pF@ 15 V，760 pF@ 15 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 13 ns，22 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- TW