HEXFET N-Ch MOSFET 21A 150V D2PAK
- RS 库存编号:
- 831-2803
- 制造商零件编号:
- IRF3315STRLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
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RMB62.30
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB6.23 | RMB62.30 |
| 100 - 190 | RMB5.635 | RMB56.35 |
| 200 - 390 | RMB5.011 | RMB50.11 |
| 400 - 790 | RMB4.913 | RMB49.13 |
| 800 + | RMB4.816 | RMB48.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 831-2803
- 制造商零件编号:
- IRF3315STRLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 82 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 94 W | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 典型接通延迟时间 | 9.6 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 95 nC | |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 49 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 82 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 94 W | ||
宽度 9.65mm | ||
典型接通延迟时间 9.6 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 95 nC | ||
典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 49 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
高度 4.83mm | ||
系列 HEXFET | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.67mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MX