HEXFET N-Ch MOSFET 18A 200V TO-262
- RS 库存编号:
- 831-2859
- 制造商零件编号:
- IRF640NLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB30.25
(不含税)
RMB34.20
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB6.05 | RMB30.25 |
| 25 - 45 | RMB5.456 | RMB27.28 |
| 50 - 120 | RMB4.928 | RMB24.64 |
| 125 - 245 | RMB4.818 | RMB24.09 |
| 250 + | RMB4.708 | RMB23.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 831-2859
- 制造商零件编号:
- IRF640NLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 高度 | 11.3mm | |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 11.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1160 pF @ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 W | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 HEXFET | ||
高度 11.3mm | ||
典型关断延迟时间 23 ns | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 4.83mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 10.67 x 4.83 x 11.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1160 pF @ 25 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN