ECH8695R-TL-W, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 11 A, Vds=24 V, 8针 ECH封装
- RS 库存编号:
- 842-7771
- 制造商零件编号:
- ECH8695R-TL-W
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB51.125
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RMB57.775
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | RMB2.045 | RMB51.13 |
| 250 - 2475 | RMB1.829 | RMB45.73 |
| 2500 - 6225 | RMB1.67 | RMB41.75 |
| 6250 - 12475 | RMB1.442 | RMB36.05 |
| 12500 + | RMB1.414 | RMB35.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 842-7771
- 制造商零件编号:
- ECH8695R-TL-W
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 24 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13.3 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -12.5 V、+12.5 V | |
| 封装类型 | ECH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.3 x 0.9mm | |
| 典型接通延迟时间 | 300 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 19700 ns | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 24 V | ||
最大漏源电阻值 13.3 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -12.5 V、+12.5 V | ||
封装类型 ECH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.9 x 2.3 x 0.9mm | ||
典型接通延迟时间 300 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V | ||
典型关断延迟时间 19700 ns | ||
宽度 2.3mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.9mm | ||