FW276-TL-2H, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 0.7 A, Vds=450 V, 8针 SOIC封装
- RS 库存编号:
- 842-7784
- 制造商零件编号:
- FW276-TL-2H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB89.54
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | RMB4.477 | RMB89.54 |
| 200 - 480 | RMB3.99 | RMB79.80 |
| 500 - 980 | RMB3.504 | RMB70.08 |
| 1000 - 1980 | RMB2.836 | RMB56.72 |
| 2000 + | RMB2.78 | RMB55.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 842-7784
- 制造商零件编号:
- FW276-TL-2H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 700 mA | |
| 最大漏源电压 | 450 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12.1 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 宽度 | 3.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 高度 | 1.375mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.7 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 55 pF @ 20 V | |
| 长度 | 4.9mm | |
| 尺寸 | 4.9 x 3.9 x 1.375mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 700 mA | ||
最大漏源电压 450 V | ||
最大漏源电阻值 12.1 Ω | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.6 W | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
宽度 3.9mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
高度 1.375mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 55 pF @ 20 V | ||
长度 4.9mm | ||
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.375mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||