MCH6661-TL-W, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 1.8 A, Vds=30 V, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 842-7807
- 制造商零件编号:
- MCH6661-TL-W
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB49.40
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB1.976 | RMB49.40 |
| 125 - 225 | RMB1.65 | RMB41.25 |
| 250 - 600 | RMB1.549 | RMB38.73 |
| 625 - 1225 | RMB1.408 | RMB35.20 |
| 1250 + | RMB1.27 | RMB31.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 842-7807
- 制造商零件编号:
- MCH6661-TL-W
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 378 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 800 mW | |
| 典型接通延迟时间 | 3.4 ns | |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 88 pF @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 10.5 ns | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 378 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 800 mW | ||
典型接通延迟时间 3.4 ns | ||
尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm | ||
长度 2mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 2 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 88 pF @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 10.5 ns | ||
高度 0.85mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||