PCP1402-TD-H , N沟道 MOSFET 晶体管, 1.2 A, Vds=250 V, 3针 SOT-89封装
- RS 库存编号:
- 842-7964
- 制造商零件编号:
- PCP1402-TD-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 20 件）*
RMB68.64
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RMB77.56
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 60 | RMB3.432 | RMB68.64 |
| 80 - 180 | RMB3.069 | RMB61.38 |
| 200 - 380 | RMB2.61 | RMB52.20 |
| 400 - 780 | RMB2.453 | RMB49.06 |
| 800 + | RMB2.299 | RMB45.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 842-7964
- 制造商零件编号:
- PCP1402-TD-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.4 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | SOT-89 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 3.5 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 210 pF @ 20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.2 nC @ 10 V | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 14.5 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.9 ns | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.2 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 2.4 Ω | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 SOT-89 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 3.5 W | ||
典型输入电容值@Vds 210 pF @ 20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V | ||
长度 4.5mm | ||
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 14.5 ns | ||
典型接通延迟时间 7.9 ns | ||
宽度 2.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||