IPD040N03LGBTMA1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 90 A, Vds=30 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 857-4562
- 制造商零件编号:
- IPD040N03LGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
RMB6,444.26
(不含税)
RMB7,282.01
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
卷 | 每卷 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | RMB6,444.26 | RMB2.578 |
| 2 - 4 | RMB6,205.70 | RMB2.482 |
| 5 + | RMB5,967.13 | RMB2.387 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-4562
- 制造商零件编号:
- IPD040N03LGBTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 90 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.7 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 79 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2900 pF @ 15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 27 ns | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型接通延迟时间 | 7.4 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 90 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 4.7 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 79 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 2900 pF @ 15 V | ||
典型关断延迟时间 27 ns | ||
长度 6.73mm | ||
典型接通延迟时间 7.4 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm | ||
高度 2.41mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||