Infineon N沟道增强型MOSFET管, Vds=60 V, 120 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IPI120N06S4-H1
- RS 库存编号:
- 857-4663
- 制造商零件编号:
- IPI120N06S4-H1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 500 件）*
RMB6,100.00
(不含税)
RMB6,895.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | RMB12.20 | RMB6,100.00 |
| 1000 - 2000 | RMB10.30 | RMB5,150.00 |
| 2500 + | RMB9.68 | RMB4,840.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-4663
- 制造商零件编号:
- IPI120N06S4-H1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.4 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 208 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 9.25mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.4 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 250 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 4.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 208 nC @ 10 V | ||
长度 10mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 9.25mm | ||
不适用