IPI22N03S4L-15 , N沟道 MOSFET 晶体管, 22 A, Vds=30 V, 3针 TO-262封装
- RS 库存编号:
- 857-4675
- 制造商零件编号:
- IPI22N03S4L-15
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 500 件）*
RMB1,300.00
(不含税)
RMB1,470.00
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 500 - 4500 | RMB2.60 | RMB1,300.00 |
| 5000 - 12000 | RMB1.87 | RMB935.00 |
| 12500 + | RMB1.835 | RMB917.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-4675
- 制造商零件编号:
- IPI22N03S4L-15
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 22 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 14.6 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | TO-262 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率晶体管 | |
| 最大功率耗散 | 31 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 750 pF @ 25 V | |
| 宽度 | 4.52mm | |
| 典型关断延迟时间 | 133 ns | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.52 x 9.45mm | |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 22 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 14.6 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 TO-262 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率晶体管 | ||
最大功率耗散 31 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 750 pF @ 25 V | ||
宽度 4.52mm | ||
典型关断延迟时间 133 ns | ||
尺寸 10.36 x 4.52 x 9.45mm | ||
典型接通延迟时间 3 ns | ||
高度 9.45mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.36mm | ||
不适用