Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 50 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, IPI50N10S3L16AKSA1
- RS 库存编号:
- 857-4685
- 制造商零件编号:
- IPI50N10S3L-16
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 管，共 500 件）*
RMB2,863.50
(不含税)
RMB3,236.00
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 500 - 2000 | RMB5.727 | RMB2,863.50 |
| 2500 - 4500 | RMB4.25 | RMB2,125.00 |
| 5000 + | RMB4.043 | RMB2,021.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-4685
- 制造商零件编号:
- IPI50N10S3L-16
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 系列 | OptiMOS™-T | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 29 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 100 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 9.25mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
系列 OptiMOS™-T | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 29 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 100 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V | ||
长度 10mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 9.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
不适用