IPI90R800C3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 6.9 A, Vds=900 V, 3针 TO-262封装
- RS 库存编号:
- 857-6823
- 制造商零件编号:
- IPI90R800C3
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 500 件）*
RMB5,950.00
(不含税)
RMB6,725.00
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | RMB11.90 | RMB5,950.00 |
| 1000 - 2000 | RMB10.63 | RMB5,315.00 |
| 2500 + | RMB10.421 | RMB5,210.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-6823
- 制造商零件编号:
- IPI90R800C3
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6.9 A | |
| 最大漏源电压 | 900 V | |
| 最大漏源电阻值 | 800 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 104 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 1100 pF @ 100 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 400 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 70 ns | |
| 尺寸 | 10.2 x 4.5 x 9.45mm | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 系列 | CoolMOS C3 | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6.9 A | ||
最大漏源电压 900 V | ||
最大漏源电阻值 800 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 104 W | ||
典型输入电容值@Vds 1100 pF @ 100 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 400 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 70 ns | ||
尺寸 10.2 x 4.5 x 9.45mm | ||
宽度 4.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 9.45mm | ||
系列 CoolMOS C3 | ||
长度 10.2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
不适用