IPS090N03LG , N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=30 V, 3针 TO-251封装
- RS 库存编号:
- 857-7053
- 制造商零件编号:
- IPS090N03LG
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 1500 件）*
RMB2,800.80
(不含税)
RMB3,164.90
(含税)
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Tube(s) | Per Tube | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 4 | RMB2,800.80 | RMB1.867 |
| 5 - 9 | RMB2,160.00 | RMB1.44 |
| 10 + | RMB2,085.00 | RMB1.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-7053
- 制造商零件编号:
- IPS090N03LG
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 9 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-251 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 42 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1200 pF @ 15 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.39mm | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.73 x 2.39 x 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 9 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-251 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 42 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 7.4 nC @ 4.5 V | ||
典型接通延迟时间 4 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 15 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.39mm | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
高度 6.22mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.73 x 2.39 x 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
不适用