BG3130H6327 , N沟道 MOSFET 四极管, 0.025 A, Vds=8 V, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 857-8472
- 制造商零件编号:
- BG3130H6327
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB2,701.70
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卷 | 每卷 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 4 | RMB2,701.70 | RMB0.901 |
| 5 - 9 | RMB2,130.00 | RMB0.71 |
| 10 + | RMB2,128.00 | RMB0.709 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-8472
- 制造商零件编号:
- BG3130H6327
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 25 mA | |
| 最大漏源电压 | 8 V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大栅源电压 | +6 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | MOSFET Tetrode | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 典型功率增益 | 31 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 1.9 pF @ 5 V | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 25 mA | ||
最大漏源电压 8 V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大栅源电压 +6 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 MOSFET Tetrode | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.25mm | ||
典型功率增益 31 dB | ||
典型输入电容值@Vds 1.9 pF @ 5 V | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm | ||