BSP135H6906XTSA1 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.12 A, Vds=600 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 857-8491
- 制造商零件编号:
- BSP135H6906XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 卷，共 1000 件）*
RMB6,760.00
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RMB7,640.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB6.76 | RMB6,760.00 |
| 2000 - 4000 | RMB6.669 | RMB6,669.00 |
| 5000 + | RMB6.539 | RMB6,539.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-8491
- 制造商零件编号:
- BSP135H6906XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 120 mA | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 60 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 1.8 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.7 nC @ 5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 98 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 28 ns | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 5.4 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 120 mA | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 60 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
通道模式 消耗 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 1.8 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型输入电容值@Vds 98 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 28 ns | ||
系列 SIPMOS | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 3.5mm | ||
典型接通延迟时间 5.4 ns | ||