IPB35N10S3L-26 , N沟道 MOSFET 晶体管, 35 A, Vds=100 V, 3针 TO-263封装
- RS 库存编号:
- 857-8671
- 制造商零件编号:
- IPB35N10S3L-26
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1000 件）*
RMB3,180.00
(不含税)
RMB3,590.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | RMB3.18 | RMB3,180.00 |
| 5000 - 9000 | RMB2.57 | RMB2,570.00 |
| 10000 + | RMB2.47 | RMB2,470.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 857-8671
- 制造商零件编号:
- IPB35N10S3L-26
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0263 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 71 W | |
| 系列 | OptiMOS T | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 尺寸 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2070 pF @ 25 V | |
| 宽度 | 9.45mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 0.0263 Ω | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 71 W | ||
系列 OptiMOS T | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.31mm | ||
尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
高度 4.57mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2070 pF @ 25 V | ||
宽度 9.45mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型关断延迟时间 18 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
不适用