FQB11P06TM , P沟道 MOSFET 晶体管, 11.4 A, Vds=-60 V, 2+1 (Tab)针 D2-PAK封装
- RS 库存编号:
- 862-8750
- 制造商零件编号:
- FQB11P06TM
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB52.56
(不含税)
RMB59.39
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.256 | RMB52.56 |
| 50 - 90 | RMB4.38 | RMB43.80 |
| 100 - 390 | RMB3.78 | RMB37.80 |
| 400 - 790 | RMB3.576 | RMB35.76 |
| 800 + | RMB3.15 | RMB31.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-8750
- 制造商零件编号:
- FQB11P06TM
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 11.4 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 175 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 53 W | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 420 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6.5 ns | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 系列 | QFET | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 11.4 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 175 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 53 W | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型输入电容值@Vds 420 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.83mm | ||
典型接通延迟时间 6.5 ns | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
宽度 9.65mm | ||
系列 QFET | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||