FQD4P25TM_WS , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.1 A, Vds=-250 V, 2+1 (Tab)针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 862-8754
- 制造商零件编号:
- FQD4P25TM_WS
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB70.175
(不含税)
RMB79.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.807 | RMB70.18 |
| 125 - 225 | RMB2.341 | RMB58.53 |
| 250 - 1225 | RMB2.02 | RMB50.50 |
| 1250 - 2475 | RMB1.77 | RMB44.25 |
| 2500 + | RMB1.702 | RMB42.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-8754
- 制造商零件编号:
- FQD4P25TM_WS
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.1 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.1 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 325 pF @ -25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.3 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 9.5 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | QFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.1 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 2.1 Ω | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 45 W | ||
典型输入电容值@Vds 325 pF @ -25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10.3 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 9.5 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.39mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 QFET | ||