onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 3.7 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, FQU5P20TU, QFET系列
- RS 库存编号:
- 862-8782
- 制造商零件编号:
- FQU5P20TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB67.30
(不含税)
RMB76.04
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.365 | RMB67.30 |
| 100 - 180 | RMB2.805 | RMB56.10 |
| 200 - 1980 | RMB2.59 | RMB51.80 |
| 2000 - 5020 | RMB2.405 | RMB48.10 |
| 5040 + | RMB2.13 | RMB42.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-8782
- 制造商零件编号:
- FQU5P20TU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 正向电压 Vf | 5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.8mm | |
| 高度 | 7.57mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.7A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 IPAK (TO-251) | ||
系列 QFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
正向电压 Vf 5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.8mm | ||
高度 7.57mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Fairchild Semiconductor QFET® P 通道 MOSFET
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供出色的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比同类平面 MOSFET 设备更高的性能系数 (FOM)。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。