FQPF9N25CYDTU , N沟道 MOSFET 晶体管, 8.8 A, Vds=250 V, 3针 TO-220F封装
- RS 库存编号:
- 862-8785
- 制造商零件编号:
- FQPF9N25CYDTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.09 | RMB50.90 |
| 50 - 90 | RMB4.728 | RMB47.28 |
| 100 - 390 | RMB4.05 | RMB40.50 |
| 400 - 790 | RMB3.876 | RMB38.76 |
| 800 + | RMB3.69 | RMB36.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-8785
- 制造商零件编号:
- FQPF9N25CYDTU
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8.8 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 430 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 38 W | |
| 高度 | 16.07mm | |
| 系列 | QFET | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26.5 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 545 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 90 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.9 x 16.07mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8.8 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 430 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 38 W | ||
高度 16.07mm | ||
系列 QFET | ||
宽度 4.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 26.5 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 545 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 90 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.36mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.36 x 4.9 x 16.07mm | ||