FQT2P25TF , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.55 A, Vds=-250 V, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 862-8788P
- 制造商零件编号:
- FQT2P25TF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计 125 件 (按连续条带形式提供)*
RMB365.00
(不含税)
RMB412.50
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 225 | RMB2.92 |
| 250 - 1975 | RMB2.635 |
| 2000 - 3975 | RMB2.12 |
| 4000 + | RMB2.032 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-8788P
- 制造商零件编号:
- FQT2P25TF
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 550 mA | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | QFET | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 典型接通延迟时间 | 8.5 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.8mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 12 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 190 pF @ -25 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 550 mA | ||
最大漏源电压 250 V | ||
最大漏源电阻值 4 Ω | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
宽度 3.7mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 QFET | ||
高度 1.8mm | ||
典型接通延迟时间 8.5 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm | ||
长度 6.7mm | ||
典型关断延迟时间 12 ns | ||
典型输入电容值@Vds 190 pF @ -25 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||