HUF76639S3ST_F085 , N沟道 MOSFET 晶体管, 51 A, Vds=100 V, 3针 TO-263AB封装
- RS 库存编号:
- 862-9319
- 制造商零件编号:
- HUF76639S3ST_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB65.76
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB13.152 | RMB65.76 |
| 50 - 195 | RMB10.968 | RMB54.84 |
| 200 - 395 | RMB10.128 | RMB50.64 |
| 400 - 795 | RMB9.384 | RMB46.92 |
| 800 + | RMB8.28 | RMB41.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-9319
- 制造商零件编号:
- HUF76639S3ST_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.026 Ω | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 180 W | |
| 典型关断延迟时间 | 151 ns | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | UltraFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 0.026 Ω | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 180 W | ||
典型关断延迟时间 151 ns | ||
宽度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 4.83mm | ||
系列 UltraFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 71 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 2400 pF @ 25 V | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||