HUFA76645S3ST_F085 , N沟道 MOSFET 晶体管, 75 A, Vds=100 V, 3针 TO-263AB封装
- RS 库存编号:
- 862-9331
- 制造商零件编号:
- HUFA76645S3ST_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB17.05 | RMB34.10 |
| 20 - 198 | RMB14.19 | RMB28.38 |
| 200 - 398 | RMB13.09 | RMB26.18 |
| 400 - 798 | RMB12.155 | RMB24.31 |
| 800 + | RMB11.385 | RMB22.77 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 862-9331
- 制造商零件编号:
- HUFA76645S3ST_F085
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.014 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 310 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 4400 pF @ 25 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 127 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 69 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | UltraFET | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 75 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 0.014 Ω | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 310 W | ||
典型输入电容值@Vds 4400 pF @ 25 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.65mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 127 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 69 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 4.83mm | ||
系列 UltraFET | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||