IRL3705ZLPBF , N沟道 MOSFET 晶体管, 86 A, Vds=55（最小值）V, 3针 TO-262封装
- RS 库存编号:
- 864-1006
- 制造商零件编号:
- IRL3705ZLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 4 件）*
RMB60.40
(不含税)
RMB68.24
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | RMB15.10 | RMB60.40 |
| 40 - 296 | RMB10.00 | RMB40.00 |
| 300 - 496 | RMB8.85 | RMB35.40 |
| 500 - 996 | RMB8.275 | RMB33.10 |
| 1000 + | RMB7.925 | RMB31.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-1006
- 制造商零件编号:
- IRL3705ZLPBF
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 86 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 130 W | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 高度 | 11.3mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 26 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 5 V | |
| 尺寸 | 10.67 x 4.83 x 11.3mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 2880 pF @ 25 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 86 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
最大漏源电阻值 12 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 130 W | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.83mm | ||
高度 11.3mm | ||
系列 HEXFET | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||
典型关断延迟时间 26 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 5 V | ||
尺寸 10.67 x 4.83 x 11.3mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 2880 pF @ 25 V | ||
长度 10.67mm | ||