FQU17P06TU , P沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=-60 V, 3针 IPAK封装

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RS 库存编号:
864-4740
制造商零件编号:
FQU17P06TU
制造商:
Fairchild Semiconductor
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品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

12 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

135 mΩ

最小栅阈值电压

2V

最大栅源电压

-25 V、+25 V

封装类型

IPAK (TO-251)

安装类型

通孔

晶体管配置

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2.5 W

每片芯片元件数目

1

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

21 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

690 pF @ -25 V

典型关断延迟时间

22 ns

宽度

2.5mm

尺寸

6.8 x 2.5 x 7.57mm

晶体管材料

Si

长度

6.8mm

最高工作温度

+150 °C

高度

7.57mm

典型接通延迟时间

13 ns