FDMC86102 , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=100 V, 8针 Power 33封装
- RS 库存编号:
- 864-4774
- 制造商零件编号:
- FDMC86102
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB13,551.00
(不含税)
RMB15,312.00
(含税)
有库存
- 另外 3,000 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB4.517 | RMB13,551.00 |
| 15000 - 27000 | RMB4.428 | RMB13,284.00 |
| 30000 + | RMB4.341 | RMB13,023.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-4774
- 制造商零件编号:
- FDMC86102
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 41 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | Power 33 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 41 W | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 0.95mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 725 pF @ 50 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 41 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 Power 33 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 41 W | ||
高度 0.95mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
宽度 3.4mm | ||
长度 3.4mm | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 0.95mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 725 pF @ 50 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||